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TitleCuestionario de Preguntas Arquitectura
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 Acceso aleatorio: Cada localización direccionable en la memoria tiene un

único, conectado físicamente-en el tratamiento de mecanismo. El tiempo para

acceso a una ubicación dada es independiente de la secuencia de los accesos

anteriores y es constante.



4.2 Cuál es la relación general entre tiempo de acceso, coste y capacidad de

memoria?

 Mientras más rápido sea el tiempo de acceso, mayor es el costo por bit y mayor

capacidad,

 Menor tiempo de acceso, menor costo por bit y una mayor capacidad



4.3. ¿Cómo se relaciona el principio de localidad con el uso de múltiples niveles

de memoria?

Es posible para organizar los datos a través de una jerarquía de memoria de tal

manera que el porcentaje de accesos a cada nivel sucesivamente inferior es

sustancialmente menor que la de la nivel por encima. Debido a las referencias de

memoria tienden a agruparse, los datos en la mayor memoria de nivel no es necesario

cambiar muy a menudo para satisfacer las solicitudes de acceso a memoria.



4.4. ¿Qué diferencias existen entre las correspondencias directa, asociativa y

asociativa por conjuntos?

En un sistema de caché, los mapas de asignación directa de cada bloque de memoria

principal en una solalínea de caché sea posible. mapeo asociativo permite a cada

loque de memoria principal para ser cargado en cualquier línea de la caché. En

conjunto asociativo de mapas, la caché se divide en una serie de conjuntos de líneas

de caché; cada bloque de memoria principal puede ser asignada a cualquier línea de

un conjunto en particular.



4.5. Para una caché con correspondencia directa, una dirección de memoria

principal es vista como tres campos. Enumere y defina estos campos.

Un campo identifica una única palabra o byte dentro de un bloque de memoria

principal. Los otros dos campos de especificar uno de los bloques de memoria

principal. Estos dos campos son un campo de línea, que identifica una de las líneas de

la caché, y un campo de etiqueta, que identifica uno de los bloques que pueden caber

en esa línea



4.6. Para una caché con correspondencia asociativa una dirección de memoria

principal es vista como dos campos. Enumere y defina estos campos

Un campo de etiqueta identifica un bloque de memoria principal. Un campo de la

palabra identifica a una única palabra o byte dentro de un bloque de memoria principal



4.7. Para una cache con correspondencia asociativa, una dirección de memoria

es vista como tres campos. Enumere y defina estos Campos.

1. Un campo identifica una única palabra o byte dentro de un bloque de memoria

principal.

Los otros dos campos sirven para especificar uno de los bloques de memoria

principal. Estos dos campos son:

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2. Un campo establecido, que identifica a uno de los juegos de la memoria caché,

y

3. Un campo de etiqueta, que identifica uno de los bloques que pueden caber en

ese conjunto.



4.8. Que diferencia hay entre localidad espacial y localidad temporal

 Localidad espacial se refiere a la tendencia de ejecución de involucrar a un

número de memoria localidades que se agrupan.

 Localidad temporal se refiere a la tendencia de un procesador para acceder a

posiciones de memoria que se han utilizado recientemente



4.9. En general ¿Cuáles son las estrategias para explotar la localidad espacial y

la localidad temporal?

Localidad espacial es generalmente explotado por el uso de grandes bloques de

memoria caché y por la incorporación de mecanismos de prelectura (ir a buscar los

artículos de uso anticipado) en ella lógica de control de caché. Localidad temporal es

explotada por mantener usado recientemente instrucción y los valores de datos en la

memoria caché y por la explotación de una jerarquía de caché







CAPITULO 5: MEMORIAS INTERNAS


5.1 ¿Cuáles son las propiedades clave de las memorias semiconductoras?

Exhiben dos estable (o semiestable) estados, que pueden ser utilizados para

representar binario 1 y 0, sino que son capaces de ser escrita en (al menos una vez),

para establecer el estado; que son capaces de ser leído para detectar el estado



5.2 ¿Cuál de los 2 significados se está empleando para el término memoria de

acceso aleatorio?

(1)Una memoria en la que las palabras individuales de la memoria se acceden

directamente a través, cableada en el tratamiento de la lógica. (2) De memoria de

semiconductores principal en el que es posible tanto para leer datos de la memoria y

para escribir nuevos datos en la memoria fácilmente y rápidamente.



5.3 ¿Qué diferencia hay, en cuanto a aplicaciones, entre DRAM y SRAM?

SRAM se utiliza para la memoria caché (tanto dentro como fuera del chip), y se utiliza

para la memoria DRAM la memoria principal.



5.4 ¿Qué diferencia hay entre DRAM y SRAM en cuanto a características tales

como velocidad, tamaño y coste?

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SRAM generalmente tienen tiempos más rápidos de acceso que las DRAM. DRAM

son menos caro y más pequeño que las SRAM.





5.5. ¿Explique porque uno de los tipos de RAM se considera analógico y el otro

digital?

Una celda DRAM es esencialmente un dispositivo analógico utilizando un

condensador, el condensador puede almacenar cualquier valor de carga dentro de un

rango; un valor de umbral determina si el carga se interpreta como 1 o 0. Una célula

SRAM es un dispositivo digital, en el que binario Los valores se almacenan utilizando

tradicionales del flip-flop puerta lógica-configuraciones.



5.6. ¿Indique algunas aplicaciones de las ROM?

Microprogramada, memoria de la unidad de control, subrutinas de la biblioteca de

frecuencia quería funciones, programas del sistema; tablas de funciones.





5.7Que diferencia hay entre memoria EPRO, EEPROM y flash?

EPROM se lee y escribe eléctricamente; antes de una operación de escritura, todo el

almacenamiento células deben ser borradas al mismo estado inicial por la exposición

del chip envasada para la radiación ultravioleta. Erasure se lleva a cabo por el

resplandor de una luz ultravioleta intensa a través de una ventana que se ha diseñado

en el chip de memoria. EEPROM es una lectura sobre todo la memoria que se puede

escribir en cualquier momento sin borrar el contenido de la técnica; sólo el byte o bytes

dirigida se actualizan. La memoria flash es intermedia entre EPROM y EEPROM,

tanto en costo y funcionalidad. Como la EEPROM, memoria flash utiliza una tecnología

eléctrica borrada. Una memoria flash puede ser toda borrado en uno o unos pocos

segundos, que es mucho más rápido que la EPROM. Además, es posible borrar a

pocas cuadras de la memoria en lugar de un chip completo. Sin embargo, el flash la

memoria no proporciona a nivel de byte borrado. Al igual que la EPROM, utiliza la

memoria flash sólo un transistor por bit, y así logra la alta densidad (en comparación

con EEPROM) de EPROM



5.8. ¿Explique la función de cada uno de los terminales de la figura 4.5b?











A0 - A1 = líneas de dirección.

CAS = dirección de la columna seleccionar:.

D1-D4 = líneas de datos.

NC: = sin conectar.

OE: habilitación de salida.

RAS = dirección de selección de fila.

Vcc: = fuente de tensión.

VSS: = tierra. WE: habilitación de escritura.

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