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Acceso aleatorio: Cada localización direccionable en la memoria tiene un
único, conectado físicamente-en el tratamiento de mecanismo. El tiempo para
acceso a una ubicación dada es independiente de la secuencia de los accesos
anteriores y es constante.
4.2 Cuál es la relación general entre tiempo de acceso, coste y capacidad de
memoria?
Mientras más rápido sea el tiempo de acceso, mayor es el costo por bit y mayor
capacidad,
Menor tiempo de acceso, menor costo por bit y una mayor capacidad
4.3. ¿Cómo se relaciona el principio de localidad con el uso de múltiples niveles
de memoria?
Es posible para organizar los datos a través de una jerarquía de memoria de tal
manera que el porcentaje de accesos a cada nivel sucesivamente inferior es
sustancialmente menor que la de la nivel por encima. Debido a las referencias de
memoria tienden a agruparse, los datos en la mayor memoria de nivel no es necesario
cambiar muy a menudo para satisfacer las solicitudes de acceso a memoria.
4.4. ¿Qué diferencias existen entre las correspondencias directa, asociativa y
asociativa por conjuntos?
En un sistema de caché, los mapas de asignación directa de cada bloque de memoria
principal en una solalínea de caché sea posible. mapeo asociativo permite a cada
loque de memoria principal para ser cargado en cualquier línea de la caché. En
conjunto asociativo de mapas, la caché se divide en una serie de conjuntos de líneas
de caché; cada bloque de memoria principal puede ser asignada a cualquier línea de
un conjunto en particular.
4.5. Para una caché con correspondencia directa, una dirección de memoria
principal es vista como tres campos. Enumere y defina estos campos.
Un campo identifica una única palabra o byte dentro de un bloque de memoria
principal. Los otros dos campos de especificar uno de los bloques de memoria
principal. Estos dos campos son un campo de línea, que identifica una de las líneas de
la caché, y un campo de etiqueta, que identifica uno de los bloques que pueden caber
en esa línea
4.6. Para una caché con correspondencia asociativa una dirección de memoria
principal es vista como dos campos. Enumere y defina estos campos
Un campo de etiqueta identifica un bloque de memoria principal. Un campo de la
palabra identifica a una única palabra o byte dentro de un bloque de memoria principal
4.7. Para una cache con correspondencia asociativa, una dirección de memoria
es vista como tres campos. Enumere y defina estos Campos.
1. Un campo identifica una única palabra o byte dentro de un bloque de memoria
principal.
Los otros dos campos sirven para especificar uno de los bloques de memoria
principal. Estos dos campos son:
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2. Un campo establecido, que identifica a uno de los juegos de la memoria caché,
y
3. Un campo de etiqueta, que identifica uno de los bloques que pueden caber en
ese conjunto.
4.8. Que diferencia hay entre localidad espacial y localidad temporal
Localidad espacial se refiere a la tendencia de ejecución de involucrar a un
número de memoria localidades que se agrupan.
Localidad temporal se refiere a la tendencia de un procesador para acceder a
posiciones de memoria que se han utilizado recientemente
4.9. En general ¿Cuáles son las estrategias para explotar la localidad espacial y
la localidad temporal?
Localidad espacial es generalmente explotado por el uso de grandes bloques de
memoria caché y por la incorporación de mecanismos de prelectura (ir a buscar los
artículos de uso anticipado) en ella lógica de control de caché. Localidad temporal es
explotada por mantener usado recientemente instrucción y los valores de datos en la
memoria caché y por la explotación de una jerarquía de caché
CAPITULO 5: MEMORIAS INTERNAS
5.1 ¿Cuáles son las propiedades clave de las memorias semiconductoras?
Exhiben dos estable (o semiestable) estados, que pueden ser utilizados para
representar binario 1 y 0, sino que son capaces de ser escrita en (al menos una vez),
para establecer el estado; que son capaces de ser leído para detectar el estado
5.2 ¿Cuál de los 2 significados se está empleando para el término memoria de
acceso aleatorio?
(1)Una memoria en la que las palabras individuales de la memoria se acceden
directamente a través, cableada en el tratamiento de la lógica. (2) De memoria de
semiconductores principal en el que es posible tanto para leer datos de la memoria y
para escribir nuevos datos en la memoria fácilmente y rápidamente.
5.3 ¿Qué diferencia hay, en cuanto a aplicaciones, entre DRAM y SRAM?
SRAM se utiliza para la memoria caché (tanto dentro como fuera del chip), y se utiliza
para la memoria DRAM la memoria principal.
5.4 ¿Qué diferencia hay entre DRAM y SRAM en cuanto a características tales
como velocidad, tamaño y coste?
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SRAM generalmente tienen tiempos más rápidos de acceso que las DRAM. DRAM
son menos caro y más pequeño que las SRAM.
5.5. ¿Explique porque uno de los tipos de RAM se considera analógico y el otro
digital?
Una celda DRAM es esencialmente un dispositivo analógico utilizando un
condensador, el condensador puede almacenar cualquier valor de carga dentro de un
rango; un valor de umbral determina si el carga se interpreta como 1 o 0. Una célula
SRAM es un dispositivo digital, en el que binario Los valores se almacenan utilizando
tradicionales del flip-flop puerta lógica-configuraciones.
5.6. ¿Indique algunas aplicaciones de las ROM?
Microprogramada, memoria de la unidad de control, subrutinas de la biblioteca de
frecuencia quería funciones, programas del sistema; tablas de funciones.
5.7Que diferencia hay entre memoria EPRO, EEPROM y flash?
EPROM se lee y escribe eléctricamente; antes de una operación de escritura, todo el
almacenamiento células deben ser borradas al mismo estado inicial por la exposición
del chip envasada para la radiación ultravioleta. Erasure se lleva a cabo por el
resplandor de una luz ultravioleta intensa a través de una ventana que se ha diseñado
en el chip de memoria. EEPROM es una lectura sobre todo la memoria que se puede
escribir en cualquier momento sin borrar el contenido de la técnica; sólo el byte o bytes
dirigida se actualizan. La memoria flash es intermedia entre EPROM y EEPROM,
tanto en costo y funcionalidad. Como la EEPROM, memoria flash utiliza una tecnología
eléctrica borrada. Una memoria flash puede ser toda borrado en uno o unos pocos
segundos, que es mucho más rápido que la EPROM. Además, es posible borrar a
pocas cuadras de la memoria en lugar de un chip completo. Sin embargo, el flash la
memoria no proporciona a nivel de byte borrado. Al igual que la EPROM, utiliza la
memoria flash sólo un transistor por bit, y así logra la alta densidad (en comparación
con EEPROM) de EPROM
5.8. ¿Explique la función de cada uno de los terminales de la figura 4.5b?
A0 - A1 = líneas de dirección.
CAS = dirección de la columna seleccionar:.
D1-D4 = líneas de datos.
NC: = sin conectar.
OE: habilitación de salida.
RAS = dirección de selección de fila.
Vcc: = fuente de tensión.
VSS: = tierra. WE: habilitación de escritura.
Acceso aleatorio: Cada localización direccionable en la memoria tiene un
único, conectado físicamente-en el tratamiento de mecanismo. El tiempo para
acceso a una ubicación dada es independiente de la secuencia de los accesos
anteriores y es constante.
4.2 Cuál es la relación general entre tiempo de acceso, coste y capacidad de
memoria?
Mientras más rápido sea el tiempo de acceso, mayor es el costo por bit y mayor
capacidad,
Menor tiempo de acceso, menor costo por bit y una mayor capacidad
4.3. ¿Cómo se relaciona el principio de localidad con el uso de múltiples niveles
de memoria?
Es posible para organizar los datos a través de una jerarquía de memoria de tal
manera que el porcentaje de accesos a cada nivel sucesivamente inferior es
sustancialmente menor que la de la nivel por encima. Debido a las referencias de
memoria tienden a agruparse, los datos en la mayor memoria de nivel no es necesario
cambiar muy a menudo para satisfacer las solicitudes de acceso a memoria.
4.4. ¿Qué diferencias existen entre las correspondencias directa, asociativa y
asociativa por conjuntos?
En un sistema de caché, los mapas de asignación directa de cada bloque de memoria
principal en una solalínea de caché sea posible. mapeo asociativo permite a cada
loque de memoria principal para ser cargado en cualquier línea de la caché. En
conjunto asociativo de mapas, la caché se divide en una serie de conjuntos de líneas
de caché; cada bloque de memoria principal puede ser asignada a cualquier línea de
un conjunto en particular.
4.5. Para una caché con correspondencia directa, una dirección de memoria
principal es vista como tres campos. Enumere y defina estos campos.
Un campo identifica una única palabra o byte dentro de un bloque de memoria
principal. Los otros dos campos de especificar uno de los bloques de memoria
principal. Estos dos campos son un campo de línea, que identifica una de las líneas de
la caché, y un campo de etiqueta, que identifica uno de los bloques que pueden caber
en esa línea
4.6. Para una caché con correspondencia asociativa una dirección de memoria
principal es vista como dos campos. Enumere y defina estos campos
Un campo de etiqueta identifica un bloque de memoria principal. Un campo de la
palabra identifica a una única palabra o byte dentro de un bloque de memoria principal
4.7. Para una cache con correspondencia asociativa, una dirección de memoria
es vista como tres campos. Enumere y defina estos Campos.
1. Un campo identifica una única palabra o byte dentro de un bloque de memoria
principal.
Los otros dos campos sirven para especificar uno de los bloques de memoria
principal. Estos dos campos son:
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2. Un campo establecido, que identifica a uno de los juegos de la memoria caché,
y
3. Un campo de etiqueta, que identifica uno de los bloques que pueden caber en
ese conjunto.
4.8. Que diferencia hay entre localidad espacial y localidad temporal
Localidad espacial se refiere a la tendencia de ejecución de involucrar a un
número de memoria localidades que se agrupan.
Localidad temporal se refiere a la tendencia de un procesador para acceder a
posiciones de memoria que se han utilizado recientemente
4.9. En general ¿Cuáles son las estrategias para explotar la localidad espacial y
la localidad temporal?
Localidad espacial es generalmente explotado por el uso de grandes bloques de
memoria caché y por la incorporación de mecanismos de prelectura (ir a buscar los
artículos de uso anticipado) en ella lógica de control de caché. Localidad temporal es
explotada por mantener usado recientemente instrucción y los valores de datos en la
memoria caché y por la explotación de una jerarquía de caché
CAPITULO 5: MEMORIAS INTERNAS
5.1 ¿Cuáles son las propiedades clave de las memorias semiconductoras?
Exhiben dos estable (o semiestable) estados, que pueden ser utilizados para
representar binario 1 y 0, sino que son capaces de ser escrita en (al menos una vez),
para establecer el estado; que son capaces de ser leído para detectar el estado
5.2 ¿Cuál de los 2 significados se está empleando para el término memoria de
acceso aleatorio?
(1)Una memoria en la que las palabras individuales de la memoria se acceden
directamente a través, cableada en el tratamiento de la lógica. (2) De memoria de
semiconductores principal en el que es posible tanto para leer datos de la memoria y
para escribir nuevos datos en la memoria fácilmente y rápidamente.
5.3 ¿Qué diferencia hay, en cuanto a aplicaciones, entre DRAM y SRAM?
SRAM se utiliza para la memoria caché (tanto dentro como fuera del chip), y se utiliza
para la memoria DRAM la memoria principal.
5.4 ¿Qué diferencia hay entre DRAM y SRAM en cuanto a características tales
como velocidad, tamaño y coste?
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SRAM generalmente tienen tiempos más rápidos de acceso que las DRAM. DRAM
son menos caro y más pequeño que las SRAM.
5.5. ¿Explique porque uno de los tipos de RAM se considera analógico y el otro
digital?
Una celda DRAM es esencialmente un dispositivo analógico utilizando un
condensador, el condensador puede almacenar cualquier valor de carga dentro de un
rango; un valor de umbral determina si el carga se interpreta como 1 o 0. Una célula
SRAM es un dispositivo digital, en el que binario Los valores se almacenan utilizando
tradicionales del flip-flop puerta lógica-configuraciones.
5.6. ¿Indique algunas aplicaciones de las ROM?
Microprogramada, memoria de la unidad de control, subrutinas de la biblioteca de
frecuencia quería funciones, programas del sistema; tablas de funciones.
5.7Que diferencia hay entre memoria EPRO, EEPROM y flash?
EPROM se lee y escribe eléctricamente; antes de una operación de escritura, todo el
almacenamiento células deben ser borradas al mismo estado inicial por la exposición
del chip envasada para la radiación ultravioleta. Erasure se lleva a cabo por el
resplandor de una luz ultravioleta intensa a través de una ventana que se ha diseñado
en el chip de memoria. EEPROM es una lectura sobre todo la memoria que se puede
escribir en cualquier momento sin borrar el contenido de la técnica; sólo el byte o bytes
dirigida se actualizan. La memoria flash es intermedia entre EPROM y EEPROM,
tanto en costo y funcionalidad. Como la EEPROM, memoria flash utiliza una tecnología
eléctrica borrada. Una memoria flash puede ser toda borrado en uno o unos pocos
segundos, que es mucho más rápido que la EPROM. Además, es posible borrar a
pocas cuadras de la memoria en lugar de un chip completo. Sin embargo, el flash la
memoria no proporciona a nivel de byte borrado. Al igual que la EPROM, utiliza la
memoria flash sólo un transistor por bit, y así logra la alta densidad (en comparación
con EEPROM) de EPROM
5.8. ¿Explique la función de cada uno de los terminales de la figura 4.5b?
A0 - A1 = líneas de dirección.
CAS = dirección de la columna seleccionar:.
D1-D4 = líneas de datos.
NC: = sin conectar.
OE: habilitación de salida.
RAS = dirección de selección de fila.
Vcc: = fuente de tensión.
VSS: = tierra. WE: habilitación de escritura.
